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大定量NAND Flash TC58DVG02A1FT00正在嵌入式系统中的使用

发布时间:2015-02-03 19:41点击:

  1 NAND和NOR flash

  眼前市面上的flash从构造上大致能够分成AND、NAND、NOR和DiNOR等多少种。内中NOR和DiNOR的特性为绝对于电抬高、随机读取快、功耗低、稳固性高,而NAND和AND的特性为定量大、回写进度快、芯全面积小。现正在,NOR和NAND FLASH的使用最为宽泛,正在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards、MMC存储卡以及USB闪盘存储器市面都占用较大的份额。

  NOR的特性是可正在芯片内施行(XIP,eXecute In Place),那样该当顺序能够间接正在flash外存内运转,无须再把代码读到零碎RAM中。NOR的传输频率很高,但写入和探险进度较低。而NAND构造能需要极高的单元密度,况且写入和擦除的进度也很快,是高数据存储密度的最佳取舍。这两种构造功能上的异同步如次:

  NOR的读进度比NAND稍快一些。

  NAND的写入进度比NOR快很多。

  NAND的擦除进度远比NOR快。

  NAND的擦除单元更小,呼应的擦除电也愈加容易。

  NAND闪存中每个块的最大擦写次单位否万次,而NOR的擦写位数是十万次。

  于是,NAND的实践使用形式要比NOR简单得多。NOR能够间接运用,并正在间接运转代码。而NAND需求I/O接口,因而运用时需求驱动顺序。没有过当今盛行的操作零碎对于NAND Flash都有支撑,如风河(占有VxWorks零碎)、微软(占有WinCE零碎)等公司都采纳了TrueFFS驱动,于是,Linux内核也需要了对于NAND Flash的支撑。

  2 大定量存储器TC58DCG02A1FT00

  2.1 引脚陈列和性能

  TC58DVG02A 1FT00是Toshiba公司消费的1Gbit(128M×8Bit)CMOS NAND E2PROM,它的任务电压为3.3V,外部存储构造为528 bytes×32pages×8192blocks。而大小为528字节,块大小为(16k+512)字节。其管脚陈列如图1所示。各次要引脚如次:

  I/O1~I/O8:8个I/O口;

  CE:片选信号,低电平无效;

  WE:写使能信号,低电平无效;

  RE:读使能信号,低电平无效;

  CLE:通知使能信号;

  ALE:地点使能信号;

  WP:邮寄号,低电平无效;

  RY/BY:高电平常为READY信号,低电平常为BUSY信号。

  2.2 与ARM解决器的联接

  以后嵌入式畛域的支流解决器当属ARM。图2是以ARM7解决器为例给出的NAND Flash与ARM解决器的正常联接办法。如前所述,与NOR Flash没有同,NAND Flash需求驱动顺序能力畸形任务。

  图中PB4,PB5,PB6是ARM解决器的GPIO口,可用于掌握NAND Flash的片选信号。CS1是解决器的片选信号,低电平无效。IORD、IOWR辨别是解决器的读、邮寄号,低电平无效。邮寄号正在本电中没有联接。

  2.3 详细操作

  地点输出,通知输出以及数据的输出输入,都是经过NAND Flash的CLE、ALE、CE、WE、RE引脚板握的。详细形式如表1所列。

  表1 论理表

  CLE ALE CE WE RE

  通知输出 1 0 0 时钟下降沿 1

  数据输出 0 0 0 时钟下降沿 1

  地点输出 0 1 0 时钟下降沿 1

  串行数据输入 0 0 0 1 时钟降落沿

  待机形态 X X 1 X X

  NAND Flash芯片的各族任务形式,如读、复位、编程等,都是经过通知字来停止 掌握的。全体通知如表2所列。

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